NTD4959NH-35G

产品描述

MOSFET NFET DPAK 30V

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规格书	NTD4959NH
文档	Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	9A
Rds（最大）@ ID，VGS	9 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	44nC @ 11.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2155pF @ 12V
功率 - 最大	1.3W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9A (Ta), 58A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
封装/外壳	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	9 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.3W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	2155pF @ 12V
闸电荷（Qg ） @ VGS	44nC @ 11.5V
产品种类	MOSFET

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